高速率光芯片前景广阔，3.2T时代硅光方案值得期待光模块通过将电信号转换为光信号，并在光纤中传输，使得高速数据通信成为可能。光芯片不仅决定了光模块的性能和效率，还直接影响到网络的速度和稳定性。在数通、电信，光纤接入等场景都有广泛的应用场景，是不可或缺的关键零部件。目前中低速率的光芯片国产化率已经较高，高速率光芯片例如100G/200G EML等产品的国产化前景十分广阔。此外，随着光通信发展的加速，光芯片在光模块中价值占比也有提升的趋势。展望未来，在3.2T 及 6.4T 的时代硅光芯片有望凭借更高的集成度和性能加速渗透，大功率CW激光器相关标的值得跟踪关注。

Blackwell平台发布驱动超大算力集群加速升级，高速网络需求带动高速率光模块加速渗透GTC 2024 大会上，英伟达公布了下一代 GPU 架构 Blackwell。通过第五代 NVLink 技术 NVLink Switch，以GB200架构为例，该集群可以支持多达 576 个 GPU 的扩展。L1层 GPU 和 NVLink Switch 之间采用铜互联的方式，L1层与L2层之间需要用到光模块，GPU : 1.6T光模块的比例为1:9。千卡甚至万卡集群需要使用到 InfiniBand 架构，根据我们的测算，在网络层数分别为1/2/3的情况下，GPU : 800G :1.6T 光模块分别为1:1:0.5/1:1:1.5/1:1:2.5。我们预计本次计算平台的升级将进一步提振市场对于100G EML，200G EML等高速率光芯片产品的需求。

投资建议随着AI技术的不断升级，市场对超大算力集群的需求不断提升，驱动高速率光芯片的出货，国产光芯片及光器件厂商有望显著受益。建议关注：1）国产光芯片厂商：源杰科技、永鼎股份；2）国产光器件厂商：长光华芯、光迅科技；3）硅光设备：罗博特科。

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