存储芯片是半导体的重要品类，2024-2025 年市场规模有望快速增长。据 WSTS 数据，2023 年全球半导体市场规模约为 5269 亿美元，其中存储器芯片市场规模约为 923 亿美元，占比约 18%。

据 2024 年 6 月份 WSTS 预测数据，2024-2025 年全球半导体市场规模为 6112 亿、6874 亿美元，其中存储芯片市场规模 1632 亿、2043 亿美元，占比约 27%、30%，增速远高于其他半导体品类。

存储产业经历“美—>日—>韩”的变迁，未来十年是中国存储的黄金十年。全球存储产业经历了两轮大的产业变迁，目前三星、海力士、美光等扮演重要角色；2016 年，随着合肥长鑫、长江存储相继成立，中国大陆参与全球大宗 DRAM、NAND FLASH 产业角逐。我们认为，DRAM 和 NAND FLASH 作为半导体领域的两个重要大宗品，在众多 IC 品类中属于“单一大料号”，对资本开支要求高，且制造属性相对较强。随着国内企业近几年的技术持续攻关，国家大基金等产业资本的重点扶持，且我国在手机、PC、新能源汽车等终端领域构建的全球优势，待国产存储芯片的产品力达到临界点后，渗透率有望加速提升。

竞争格局较好，供给收缩助力价格快速反弹。2022Q4 开始，受下游需求不景气影响，三星、海力士、美光等龙头企业经营毛利率转负，随后经历了较为严重的亏损。根据 Trendforce 数据，三星、海力士的稼动率从 2022Q4 的 100%，分别下降到 2023Q3 的73%、81%，供给收缩带来价格的快速反弹，国内存储模组厂商同步受益低价颗粒库存，2024H1 盈利效应明显。我们认为，以 DRAM领域为例，2023 年 CR3 企业全球市占率约 96%，龙头企业有能力、有意愿在未来的景气周期中充分盈利，以弥补此前下行期的经营亏损，并为未来的资本开支做好准备。

生成式 AI 对数据吞吐速度有刚性需求，HBM 成为算力发挥的瓶颈因素之一，HBM 的大幅扩产、对晶圆的高消耗会显著挤压传统DRAM 产能。HBM 成为算力芯片的带宽瓶颈因素，海力士、三星、美光正加大 HBM3e/4 等技术研发及扩产力度，美光称在同一节点生产同等容量的情况下，HBM3e 内存对晶圆量的消耗是标准 DDR5的三倍。2024 年 5 月份，高盛上调 24-26 年 HBM 市场规模预测值到 150 亿、230 亿、300 亿美元。

生成式 AI 在终端的落地，有望缩短手机、PC 换机周期，且端侧单机存储容量会显著提升。根据集邦咨询数据，23 年手机/PC/服务器对 DRAM 消耗分别占比 36.7%/12.5%/37.2%，单机平均容量分别为 6.2GB/10.6GB/611.2GB。20/21 年受疫情等因素影响，PC/手机迎来换机小高峰，至今大部分产品已到产品生命周期末端。

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