存储行业全球巨头，AI 时代“存力”核心标的之一。美光创立于 1978 年，总部位于美国，当前业务包括 DRAM，NAND 及 NOR，并向下延伸提供各类模组产品。经过多年外延并购和内生发展，公司逐步成长为全球存储市场的主要参与者之一。据 CFM 闪存市场数据，2023 年美光在全球 DRAM 及 NAND 市场占有率分别为 23.90%和 10.80%。

公司不仅在传统存储市场拥有完整的产品线，AI 时代，公司亦拥有多种新产品用于云端数据中心和终端 AI PC、AI 手机中，是 AI 存力需求兴起的核心受益者。

美光针对云端应用提供 HBM、高端 RDIMM 及 CXL 内存等产品，以满足其训练与推理的需求，其中 HBM3E 已经成功应用于英伟达 H200 Tensor Core GPU，基于 32Gb DRAM 芯片的 128GB DDR5 RDIMM 也已经出货。

传统存储：减产+HBM 挤出限制供给，AI 贡献新需求，涨价有望持续。存储器具有大宗属性，存储行业具有周期性特征，目前全球范围内的供给收紧叠加需求增长，存储行业已经步入新一轮上行周期。

供给端，三星、美光及海力士等主要存储原厂均在 2023 年采取了减产的措施，同时约束资本支出，目前仍未见明显的扩产动作，传统存储供应增长比较有限。

从新技术对产能的影响来看，HBM 生产相同容量所需晶圆量为 DDR5 的三倍，目前 HBM 供不应求，存储原厂将更多资源倾斜到 HBM 上，进一步挤占传统存储产品的产能。存储产能供给因此持续收紧。需求端，AI 贡献了最大的边际增长，云端训练及推理需要大量 HBM、DDR5 及 SSD，未来端侧 AI 的发展也将带动单机存储用量的提升。

根据 CFM 闪存数据，自 2023 年 9 月存储产品价格见底以来，截至 2024 年 5月下旬，DRAM 指数已涨超 31.82%，NAND 指数已涨超 91.4%，但距离前高仍有较大空间。

HBM：后发先至，市场份额有望加速提升。HBM 是算力硬件突破内存墙瓶颈的突破性技术，该市场早期由海力士和三星引领，美光则后发先至完成赶超，率先发布 HBM3E 产品，并于 FY24Q3 实现约 1 亿美元收入。从产品性能来看，美光 HBM3E 能够提供高达 1.2TB/s 的带宽，引脚速度超过 9.2Gb/s，较主要竞争对手的性能高出约 10%，功耗节省约 30%，优势凸显。根据公司后续产品规划，公司将在 2025 年发布 36GB 12-High HBM3E，并于 2026 年推出 36GB 12-High HBM4。

截至 FY24Q3 季报披露，美光 2024 年和 2025 年的 HBM 产能均已售罄，预计FY2025 实现数十亿美元营收，公司预计未来将在 HBM 市场取得与 DRAM 市场接近的市场份额。

投资建议：公司传统业务受益周期回暖，且兼具 HBM、LPCAMM 等新品带来的成长性，中短期 HBM 出货及存储涨价将带来的业绩释放。长期来看，AI 将从云侧存储和端侧存储两方面引领公司更长维度的业绩增长，建议积极关注。

风险提示：终端需求增长不及预期、存储行业供给超预期增长、AIPC 及 AI手机销量不及预期、新品研发进展不及预期。

目录

1 四十余年耕耘，缔造存储市场巨头 .......... 3

1.1 全球份额领先，存储全产品覆盖 .......... 3

1.2 并购+研发齐头并进，成就全球存储巨头 .......... 6

1.3 周期上行拉动业绩，持续去库+控产紧缩供给.......... 9

2 传统存储：周期上行趋势延续，价格继续回升 .......... 13

2.1 存储行业周期性显著，供需反转下拐点明确 .......... 13

2.2 端侧 AI 接力云端，存储需求长期趋势向好 .......... 19

3 HBM：后发先至，份额快速提升 .......... 27

3.1 HBM 满足 AI 高带宽+存储密度需求.......... 27

3.2 HBM 市场空间广阔，三大原厂竞争激烈 .......... 30

4 投资建议 .......... 35

5 风险提示 .......... 36

插图目录 .......... 37

表格目录 .......... 37

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