北方华创立足半导体基础产品领域,深耕半导体装备、真空及锂电装备和精密电子元器件等业务领域,现有六大研发生产基地,致力于成为半导体基础产品领域值得信赖的引领者。其半导体装备产品包括刻蚀机/PVD/ALD/CVD/氧化/扩散炉/清洗机/气体质量流量计等,设备需求上行&国产进程加速背景下,公司将充分受益其全产业链布局。
布局刻蚀/薄膜沉积/清洗/热处理四大应用领域,打造半导体设备平台型企业。半导体设备处于产业链上游,支撑制造和封装测试,半导体行业技术高、进步快,一代产品需要一代工艺,一代工艺需要一代设备,半导体设备是半导体产业的技术先导者,通常半导体设备的研发领先半导体工艺 3~5 年。制造半导体芯片过程主要包括晶圆加工、刻蚀、光刻、沉积、离子注入、金属化等多个工艺步骤。北方华创设备涉及刻蚀/薄膜沉积/清洗/热处理四大应用领域,广泛应用于集成电路、先进封装、半导体照明、微机电系统、功率半导体、化合物半导体、新能源光伏、平板显示等领域,为半导体、新能源、新材料等领域提供解决方案。随着公司设备平台型布局完善,公司将充分受益于半导体产业链自主可控发展战略。
刻蚀设备:ICP 突破 12 英寸各技术节点,CCP 实现逻辑/存储/功率多关键制程覆盖。(1)ICP:北方华创先后攻克了电感耦合脉冲等离子体源、多温区静电卡盘、双层结构防护涂层和反应腔原位涂层等技术难题,实现了 12 英寸各技术节点的突破。公司多晶硅及金属刻蚀系列 ICP 设备实现规模化应用,完成了浅沟槽隔离刻蚀、栅极掩膜刻蚀等多道核心工艺开发和验证,助力国内主流客户技术通线,已实现多个客户端大批量量产并成为基线设备。(2)CCP:北方华创集成电路领域 CCP介质刻蚀设备实现了逻辑、存储、功率半导体等领域多个关键制程的覆盖,为国内主流客户提供了稳定、高效的生产保障,赢得客户信赖和认可。
薄膜沉积:全面布局 PVD/CVD/ALD 等产品技术,提供前沿产品与创新解决方案。
(1)PVD:北方华创集成电路领域铜互连、铝垫层、金属硬掩膜、金属栅、硅化物(Silicide)等工艺设备在客户端实现稳定量产,成为多家客户的基线设备,并广泛应用在逻辑、存储等主流产线,同时也成功实现功率半导体、三维集成和先进封装、新型显示、化合物半导体等多个领域的量产应用。(2)CVD:北方华创基于十余年沉积工艺技术的丰富经验,布局拓展了 DCVD 和 MCVD 两大系列产品。针对介质和金属化学气相沉积关键技术需求,攻克了进气系统均匀性控制、压力精确平衡、双频驱动的容性等离子体控制、多站位射频功率均分控制等多项技术难题,实现金属硅化物、金属栅极、钨塞沉积、高介电常数原子层沉积等工艺设备的全方位覆盖,关键技术指标均达到业界领先水平。
清洗与热处理:提供多类型湿法清洗设备,立式炉逻辑/存储全覆盖。在清洗设备领域,北方华创经过多年的技术积累,先后突破了多项关键模块设计技术和清洗工艺技术,包括伯努利卡盘和双面工艺卡盘、高效率药液回收系统、热 SPM 工艺、热磷酸工艺、低压干燥工艺等,实现了槽式工艺全覆盖,同时高端单片工艺实现突破。在立式炉领域,北方华创突破并掌握了气流场/温度场控制、反应源精密输送、硅片表面热场设计等关键技术,实现了立式炉系列化设备在逻辑和存储工艺制程应用的全面覆盖。
AI 周期“/ 中道”工艺/多重曝光/先进制程扩产四重奏,吹响制造设备需求号角。
(1):AI 周期带动产能增长:根据 SEMI 数据,为跟上芯片需求的持续增长,全球半导体产能预计将在 2024 年增加 6%,在 2025 年增长 7%,达到每月 3,370 万片晶圆(等效 8 英寸),产能有望创历史新高。(2)前道工艺下放先进封装:先进封装中倒装需采用植球、电镀、光刻、蚀刻等前道制造的工艺,2.5D/3D 封装 TSV 技术就需要光刻机、涂胶显影设备、湿法刻蚀设备等,从而使得晶圆制造与封测前后道制程中出现中道交叉区域。(3)多重曝光技术助力制程突破:对于更小周期图形制造工艺,需要使用多重图形成像技术,使每一个版图的最小尺寸周期均符合单次光刻的极限分辨率的要求。(4)大基金三期&在建/规划兴建或改造产能稳步进行:国家大基金三期旨在引导社会资本加大对集成电路产业的多渠道融资支持,重点投向集成电路全产业链。截至 2023 年 12 月 10 日,12 寸晶圆厂中,在建 24 座,规划产能合计 125 万片(其中外资在建 18 万片),规划兴建或改造 13 座,规划产能合计 57 万片(其中外资规划 5 万片);8 寸晶圆厂中,在建 5 座,规划产能合计 20 万片;规划兴建或改造 11 座,规划产能合计 32 万片。

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