本报告导读：跟随 AI 大算力，先进封装被时代赋予重大使命，成为摩尔定律的“破壁人”。通过梳理先进封装带来的边际变化，以期寻求产业链上的制造、设备、材料机会。

投资要点：投资建议。先进封装是大算力时代崛起的必经之路，是其突破“存储墙”“面积墙”“功耗墙”和“功能墙”的关键路径之一。供应链受益环节主要在代工厂、封测厂、先进封装及测试设备及材料领域，维持半导体行业“增持”评级。推荐中芯国际（688981.SH）、华虹半导体（1347.HK）、通富微电（002156.SZ）、长电科技（600584.SH）、华天科技（002185.SZ）、甬矽电子（688362.SH）、晶方科技（603005.SH）、华峰测控（ 688200.SH ）、 伟 测 科 技 （ 688372.SH ）、 光 力 科 技（300480.SZ）、拓荆科技（688072.SH）、赛腾股份（603283.SH）、芯碁微装（688630.SH）、芯源微（688037.SH）、盛美上海（688082.SH）、中微公司（688012.SH）、安集科技（688019.SH）、鼎龙股份（300054.SZ）等。

先进封装助力“超越摩尔”，聚焦 2.5D/3D 封装，HBM 快速迭代打破“存储墙”。根据 Yole，2028 年，先进封装市场规模将达到 786 亿美元，占总封装市场的 58%。其中，在人工智能、5G 通信和高性能计算等产业的推动下，2.5D/3D 封装成为行业黑马，预计到 2028 年，将一跃成为第二大先进封装形式。台积电先进封装主要基于 3D Fabric 技术平台，包括基于前端的 SoIC 技术、基于后端的 CoWoS 和 InFO 技术。三星先进异构封装，提供从 HBM 到 2.5D/3D 的交钥匙解决方案，包括了 2.5D i-Cube 和 3D X-Cube。Intel 2.5D/3D 封装则主要通过 EMIB和 Foveros 两个技术方案实现。台积电 COWOS 封装已经成为当前高性能计算的主流路线，持续供不应求，预计到 2024 年底，台积电CoWoS 封装月产能有望达到 3.6-4 万片。HBM 作为实现“近存计算”的必经之路，也成为海力士、三星、美光三大存储厂必争之地，而如何实现极薄尺寸、极小间距下 wafer 的堆叠与连接是 HBM 公司核心竞争力。

聚焦先进封装，关注设备及材料新机会。从工艺路线角度，COWOS带来设备的主要变动包括：基于晶圆减薄要求及数量提升的研磨切割+CMP 减薄设备、基于精准度、洁净度提升的固晶机、热压键合设备。

HBM 带来的设备变动则是从热压键合向混合键合的发展。材料端，包括 CMP 步骤提升带动下的相关耗材（抛光液、抛光垫等）、先进封装需求提升的电镀液等功能性湿电子化学品、基于高集成、高功耗、轻薄化下的散热、应力释放需求底部填充胶、TIM 热界面材料等。

目录

1. 先进封装：大算力崛起，后摩尔时代的破壁者 .......... 4

1.1. 先进封装打破集成电路限制，迈向高密度、高集成、低功耗 .......... 4

1.2. 2028 年先进封装预计市场占据 58%封装市场，2.5D/3D 渗透速率亮眼 6

1.3. OSAT、Fab、IDM 齐发力，CR3 占据 50%以上市场 .......... 7

2. 先进封装基石：二维、三维高集成，Bump、RDL 、TSV 三重心 .......... 8

2.1. 核心技术一：Bumping 为先机封装的基石.......... 9

2.2. 核心技术二：RDL 重定义二维集成 .......... 10

2.3. 核心技术三：TSV 技术是三维堆叠的利刃 .......... 14

2.4. 下一代封装技术：混合键合掀起浪潮 .......... 17

3. 先进封装模式梳理：2.5D/3D 封装引领浪潮，HBM 打破“存储墙” .......... 19

3.1. 台积电、三星、英特尔面向未来的 2.5D/3D 封装 .......... 19

3.1.1. 台积电先进封装引领行业风潮，3D Fabric 平台助力多维发展

20

3.1.1.1. 台积电 SoIC 技术走在键合最前沿 .......... 21

3.1.1.2. 台积电 CoWoS 技术引领 2.5D/3D 封装浪潮 .......... 24

3.1.1.3. 台积电 InFO 技术为移动通讯的标杆 .......... 28

3.1.2. 三星先进异构封装，提供从 HBM 到 2.5D/3D 的交钥匙解决方案 29

3.1.3. Intel 先进封装方案兼具性价比及可拓展性 .......... 32

3.2. 海力士、三星、美光 HBM 打破“存储墙” .......... 35

3.2.1. 高性能计算要求高带宽低功耗，HBM 应运而生 .......... 35

3.2.2. 小体积、高传输，HBM 封装核心在晶圆堆叠 .......... 40

3.2.3. HBM 对测试提出更严苛要求 .......... 46

4. 设备机会梳理：先进封装卖铲人，国产破局正当时 .......... 47

4.1. DISCO 回顾：“切磨抛”护城河高筑，进军先进封装打开市场空间

51

4.2. BESI 回顾：固晶机龙头，混合键合势如破竹 .......... 55

4.3. HANMI：深度绑定海力士，热压键合增长迅速 .......... 60

4.4. 国内厂家抢占先进封装赛道，国产替代有望突破 .......... 61

5. 材料机会梳理：封装材料率先国产化突破，散热需求带来新成长 .......... 63

5.1. CMP 材料随减薄需求上量，电镀液国产替代正当时 .......... 65

5.2. 先进封装胶材大有可为，热界面材料大势所趋 .......... 68

6. 投资建议 .......... 72

6.1. 晶圆代工及封测厂 .......... 72

6.2. 先进封装设备及材料 .......... 73

7. 风险提示 .......... 76

因篇幅限制，仅展示部分，更多重要内容、核心观点，请下载报告。