刻蚀：半导体制造三大核心设备之一。刻蚀主要负责去除特定区域的材料从而形成微小的结构图案，与光刻、薄膜沉积并称为半导体制造三大核心设备，占半导体前道设备价值总量的22%，地位举足轻重。等离子体干刻是目前刻蚀的主流方案，包括ICP和CCP两大类，ICP可用于硅、金属以及部分介质刻蚀，CCP主要用于介质刻蚀，两者市占率平分秋色。随着晶体管尺寸不断缩小，对刻蚀的精准度要求更高，原子层刻蚀（ALE）登场，其可以看做是ALD的镜像过程，具备自停止属性，刻蚀精度达单原子层级，已经应用于自对准接触等需原子级精密控制的工艺中，颇具潜力。

格局：国产化之典范，成功打入国际市场。全球刻蚀设备市场属于寡头垄断格局，LAM、TEL、AMAT三巨头长期占据全球九成以上的市场份额，LAM一家市占率就接近五成，垄断性强。然而，刻蚀也是国内率先取得突破的半导体核心设备，已成功打破海外垄断进入国际市场，2015年，美国商务部取消了等离子体刻蚀机对中国的出口控制，侧面印证了国内刻蚀设备已经取得突破。中微公司、北方华创、屹唐股份等厂商在刻蚀设备的国产化方面做出了突出贡献：中微公司主营产品为刻蚀机，在CCP、ICP领域具备强大的竞争力，其刻蚀设备已批量应用于国际先进5nm及以下产线；北方华创的ICP出货已经超过3200腔（截止2023年底），与中微公司同属国内刻蚀设备市场的主力军；屹唐股份的刻蚀设备应用到三星、长存的产线中。总体看，国内刻蚀设备成功打破海外垄断，达到国际先进水平，是国产替代的典范。

看点：国产替代+先进制程+海外拓展有望拉动长期增长。国产替代、自主可控为国内半导体厂商提供了巨大的发展空间，刻蚀设备的国产化已经迈入正轨，国内半导体市场将为刻蚀厂商提供源源不断的订单；此外，先进制程、先进存储需要更多次数的刻蚀工艺，且对刻蚀设备的精度要求更高，单位产线产能的刻蚀设备价值量大幅提升。长期看，海外市场也有望为国内刻蚀厂商提供新的增长点，原因为：

1）全球主要半导体厂资本开支处于较高水平；2）国内刻蚀设备具备全球竞争力，在部分领域有能力与国际巨头展开直面竞争。

投资建议：刻蚀设备是国内率先取得突破的半导体制造核心设备，技术产品力强大，国产替代已成常态，且成功进入海外市场展开国际竞争。当前，国内先进制程、先进存储产能仍显不足，技术突破、产能扩张诉求较强，刻蚀设备的国内市场空间长期充裕，且全球半导体厂商的资本开支仍处在高位，长期看，具备强大竞争力的国内刻蚀设备厂有望不断侵蚀海外市场，为其业绩持续增长提供充足的动力。

推荐中微公司、北方华创。

风险提示：（1）国内技术产品开发不及预期的风险。（2）海外制裁加剧的风险。（3）下游需求不及预期的风险。

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