先进封装大势所趋，国产供应链机遇大于挑战

投资要点：摩尔定律面临一系列瓶颈。摩尔定律指引过去五十多年全球半导体行业的发展，但当前也面临着一系列瓶颈。（1）芯片内单个晶体管大小逼近原子极限，硅芯片将达到物理极限；（2）当栅极宽度小于 5nm 时，将会产生隧道效应，电子会自行穿越通道，从而造成“0”、“1”逻辑错误；（3）单位面积的功耗会由于晶体管集成度提高而提高，温度太高影响晶体管性能；（4）5nm 制程的芯片设计需要超过 5 亿美元成本，制造成本更高。

先进封装是超越摩尔定律、提升芯片性能的关键。先进封装也称为高密度封装，通过缩短 I/O 间距和互联长度，提高 I/O 密度，进而实现芯片性能的提升。相比传统封装，先进封装拥有更高的内存带宽、能耗比、性能，更薄的芯片厚度，可以实现多芯片、异质集成、芯片之间高速互联。

英伟达从 2020 年开始采用台积电 CoWoS 技术封装其 A100 GPU 系列产品，相比上一代产品 V100，A100 在 BERT 模型的训练上性能提升 6 倍，BERT 推断时性能提升 7 倍。Bump、RDL、TSV、Hybrid Bonding 是实现先进封装的关键技术。WLP、2.5D、3D 是当前主流的几种先进封装技术。先进封装大势所趋，AI 加速其发展。

先进封装技术的应用范围广泛，涵盖了移动设备、高性能计算、物联网等多个领域。现代智能手机中大量使用了 CSP 和 3D 封装技术，以实现高性能、低功耗和小尺寸的目标；在高性能计算领域，2.5D 和 3D 集成技术被广泛应用于处理器和存储器的封装，显著提升了计算性能和数据传输效率。Yole 预计，全球先进封装市场规模有望从 2023 年的 468.3 亿美元增长到 2028 年的 785.5 亿美元。得益于AI 对高性能计算需求的快速增长，通信基础设施是先进封装增长最快的领域，2022-2028 年预计实现 17%的复合增长。

内资封测厂商积极布局先进封装，国产设备、材料环节持续获得技术突破。封装，海外 Foundry 在 2.5D/3D 封装、混合键合等技术方面较为领先；内资封测厂更熟悉后道环节、异质异构集成，因此在 SiP、WLP 等技术相对有优势，同时也在积极布局 2.5D/3D、Chiplet 等。设备，相较于先进制造，先进封装对制程节点要求不高，国产设备基本具备前段核心工艺与后段封装测试的自主发展能力与进口替代潜力。材料，关键材料性能要求升级，国产厂商在电镀液、CMP 材料、光刻胶、掩膜版、剥离液、环氧塑封料、硅微粉、玻璃基板等领域替代在加快。

投资建议：封装环节建议关注长电科技、通富微电、华天科技、晶方科技、甬矽电子、颀中科技、汇成股份等。设备环节建议关注北方华创、中微公司、拓荆科技、芯源微、盛美上海、华海清科、芯碁微装、中科飞测等。材料环节建议关注上海新阳、安集科技、鼎龙股份、华海诚科、联瑞新材、艾森股份、沃格光电等。

风险提示：需求波动风险、竞争加剧风险、研发进展不及预期风险、国际政治贸易风险等。

目录

1. 先进封装提升芯片性能，Bump、RDL、TSV 等技术赋能 AP.......... 5

1.1 封装是半导体后道制程，主要起芯片保护、连接作用.......... 5

1.2 Bump、RDL、TSV、混合键合技术赋能先进封装..........6

1.3 WLP、2.5D、3D 是当前主流的几种先进封装.......... 11

2. 先进封装大势所趋，2028 年全球市场规模有望 785.5 亿美元.......... 13

2.1 摩尔定律面临瓶颈，先进封装大势所趋.......... 13

2.2 2028 年全球市场规模有望 785.5 亿美元，通信基础设施领域增长最快..........15

2.3 算力时代，先进封装有望迎来加速发展.......... 16

3. 产业链梳理.......... 17

3.1 封装环节：Foundry 与 OSAT 各有侧重，内资厂商积极布局先进封装.......... 17

3.2 设备环节：国产设备持续突破，进口替代进程加速.......... 19

3.3 材料环节：关键材料性能要求升级，高端品类国产化空间巨大.......... 23

4. 投资建议与风险提示.......... 31

4.1 投资建议.......... 31

4.2 风险提示.......... 31

图表目录图 1： 半导体产业链分设计、制造、封装和测试.......... 5

图 2： 半导体封装的四大作用.......... 5

图 3： 先进封装拥有更高的内存带宽、能耗比.......... 7

图 4： Bump、RDL、TSV 是实现先进封装关键技术..........7

图 5： 应用于 CoWoS、InFo 等先进封装中的 Bump..........7

图 6： 当前，先进封装凸块间距已经到 20-10μm.......... 7

图 7： RDL 起着 XY 平面电气延伸和互联的作用.......... 8

图 8： RDL 转接层在 CoWoS-R 中的应用..........8

图 9： TSV 应用于 2.5D/3D 封装.......... 9

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